EPEE i200 等离子体增强化学气相沉积系统
EPEE i200 PECVD System
- 设备特点
-
- 先进的单腔双片架构，兼具产能和性能优势
- 高效传输系统，智能软件调度算法
- 高效远程等离子体清洗系统，良好的颗粒控制
- 支持气态硅烷和液态正硅酸乙酯两类沉积工艺
- 产品应用
-
- 晶圆尺寸6/8英寸兼容
- 适用材料氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、PSG、BPSG
- 适用工艺掩膜层沉积、钝化层沉积、绝缘层沉积
- 适用领域集成电路、化合物半导体、功率半导体、LED、硅基微显、科研
