THEORIS SN302D 12英寸立式低压化学气相沉积氮化硅炉
THEORIS SN302D 12 Inch Vertical LPCVD SiN Furnace
- 设备特点
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- 先进的压力控制系统
- 高精度温度场控制技术
- 先进的颗粒控制技术
- 先进的微环境氧含量控制技术
- 高产能
- 产品应用
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- 晶圆尺寸12英寸
- 适用材料硅
- 适用工艺氮化硅低压化学气相沉积
- 适用领域集成电路、功率半导体
