半导体装备 Semiconductor

MARS iCE115

碳化硅外延系统

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MARS iCE115 碳化硅外延系统
MARS iCE115 SiC Epitaxy System
MARS iCE115主要用于4、6英寸SiC外延工艺。采用水平热壁式技术路线,应用先进的控温、控压算法和专业的进气、混流结构,使得整个外延工艺过程中热场和气流场均匀稳定。工艺指标如厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等均达到了行业先进水平。
设备特点
  • 薄膜和厚膜外延兼容,工艺稳定性高
  • 具备多层外延能力
  • 专业的气流场和加热场设计,工艺性能优
  • 可靠的压力控制系统,成膜质量均一性好
产品应用
  • 晶圆尺寸
    4、6英寸
  • 适用材料
    碳化硅
  • 适用工艺
    N&P碳化硅外延
  • 适用领域
    化合物半导体、衬底材料、科研领域
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